Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

IPB017N10N5LFATMA1

Name: Infineon IPB017N10N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB017N10N5LFATM
Price: 5.89 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB017N10N5LFATM

Herst.- Nr.:

IPB017N10N5LFATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

Datenblatt:

IPB017N10N5LFATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1

Auf Lager: 239

Lagerbestand:: 239

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 2.000

erwartet ab 18.03.2026

6.000

erwartet ab 28.05.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 16

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,89 €	5,89 €
	3,97 €	39,70 €
	2,94 €	294,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2,50 €	2.500,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	210 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	132 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	OptiMOS 5
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	33 ns
Artikel # Aliases:	IPB017N10N5LF SP001503850
Gewicht pro Stück:	1,600 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Product Catalogs

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Lösungen für Elektro-Leichtfahrzeuge (LEV)

Infineon Technologielösungen für Elektro-Leichtfahrzeuge (LEV) verfügen über ein weltveränderndes Potenzial, indem die emissionsfreie Lösung für wachsende Megastädte genutzt wird. Die neue Technologie der LEVs ermöglichen einen höheren Leistungswirkungsgrad, eine kleinere Größe, ein leichteres Gewicht und kostengünstigere Lösungen. LEVs kosten weniger als benzin- oder batteriebetriebene EVs und sind dadurch erschwinglich und für Wachstumsmärkte attraktiv, bei denen ein Übergang zu einer elektrifizierten Mobilität im Gange ist.