GaN-HEMTs

Die Cree GaN- (Galliumnitrid) HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) bieten eine höhere Leistungsdichte und höhere Bandbreiten im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren. GaN hat überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium oder Galliumarsenid, einschließlich höherer Durchlassspannung, höherer gesättigter Elektronendriftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Datenblatt

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C