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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CGH09120F

Herst.- Nr.:

CGH09120F

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Datenblatt:

CGH09120F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	56 W
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	21 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	28 V
Maximale Betriebsfrequenz:	2.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	300 MHz
Ausgangsleistung:	20 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT)

Der GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) CGH09120F von Wolfspeed / Cree ist für hohe Wirkungsgrade, hohe Verstärkung und hohe Bandbreiten konzipiert. Da dieser GaN-HEMT eine hohe DPD-Korrektur ermöglicht, eignet er sich bestens für MC-GSM-, WCDMA- und LTE-Verstärkerapplikationen geeignet. Der Transistor ist in einem Keramik-/Metall-Flanschgehäuse untergebracht.
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