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RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 1.06 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

583-RM10N100LDV-T

Herst.- Nr.:

RM10N100LDV-T

Herst.:

Rectron

Beschreibung:

MOSFETs

Datenblatt:

RM10N100LDV-T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,659 €	6,59 €
	0,43 €	43,00 €
	0,33 €	165,00 €
	0,308 €	308,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,26 €	650,00 €
	0,242 €	1.210,00 €
	0,224 €	2.240,00 €
	0,217 €	5.425,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Rectron
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	21.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Rectron
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.4 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

RM10N100LDV-T Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.