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NVTFWS002N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS002N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS002N04XMTAG
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VTFWS002N04XMTAG

Herst.- Nr.:

NVTFWS002N04XMTAG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVTFWS002N04XMTAG Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,851 €	0,85 €
	0,552 €	5,52 €
	0,455 €	45,50 €
	0,436 €	218,00 €
	0,421 €	421,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,412 €	618,00 €
	0,408 €	1.224,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	114 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.45 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	59 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	NVTFWS002N04XM
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

NVTFWS002N04XMTAG Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS002N04XM MOSFET

Der onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on) und eine niedrige Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten Gehäuse. Der MOSFET verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 114 A und einen Drain-Source-Widerstand von 2,45 mΩ bei 10 V. Der NVTFWS002N04XM MOSFET von onsemi ist in einem µ8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mmund einem kleinen Footprint verfügbar und eignet sich hervorragend für Motorantriebe, Batterieschutzsysteme und Synchrongleichrichtungsapplikationen.