P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Central Semiconductor P-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low rDS(ON) and low threshold voltage. CMUDM8004 and CMUDM8005 ULTRAmini™ MOSFETs, CMLDM8005 PICOmini™, and CMNDM8001 FEMTOmini™ devices are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CMUDM8004 / CMUDM8005 and CMNDM8001 MOSFETs are manufactured by the P-channel DMOS process. CMLDM8005 features 350mW power dissipation.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Central Semiconductor MOSFETs SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
Datenblatt
2.417Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFETs SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
Datenblatt
101.701Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 8.000
Mult.: 8.000
Rolle: 8.000

Si 2.4 Ohms Reel