CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs

Die Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) Leistungs-MOSFETs sind im neuen TO-Leadless-SMD-Gehäuse (TOLL) mit Kelvin-Source-Fähigkeit untergebracht. Die G7-MOSFETs kombinieren eine verbesserte 600V- und 650V-CoolMOS-G7-Technologie, 4-Pin-Kelvin-Source-Fähigkeit mit den verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses. Dies ermöglicht eine SMD-Lösung für Hochstrom-Hartschalttopologien wie Power Factor Correction (PFC) bis zu 3 kW. Für die 600 V CoolMOS G7 können die MOSFETs für Resonanzkreise wie High-End-LLC verwendet werden.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1.354Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2.005Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Datenblatt
1.783Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1.483Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2.682Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2.804Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Datenblatt
2.122Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
3.979Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
21Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Rolle: 2.000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape