FDMC8200

onsemi
512-FDMC8200
FDMC8200

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Power-33-8
N-Channel
2 Channel
30 V
18 A
16 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
7.3 nC, 16 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W, 2.2 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Abfallzeit: 1.3 ns, 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 29 S, 56 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3.1 ns, 4 ns
Serie: FDMC8200
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 35 ns, 38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns, 13 ns
Gewicht pro Stück: 186 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FDMS36xxS Asymmetrische Dual-Leistungs-MOSFETs

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS asymmetrische Leistungsstufen-Dual-MOSFET-Module bieten die höchste Ausgangsstromkapazität sämtlicher 5mm x 6mm Dual-MOSFET-Lösungen, die auf dem Markt erhältlich sind. Fairchild FDMS36xxS asymmetrische Dual-MOSFETs integrieren ein Steuer- und Synchron-MOSFET sowie eine monolithische Schottky-Körperdiode in einem PQFN-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFETs und Synchron-MOSFETs sind für eine optimale Energieeffizienz des Ausgabestroms bis zu 30A konzipiert. Diese Geräte von Fairchild Semiconductor erreichen branchenführende unter-2mO niedrige RDS (on) bei als Hochleistungs-Durchschlagspannungen bewerteten Computeranwendungen. FDMS36xxS MOSFETs sind dafür optimiert die Kombination von Leitungs- und Schaltverlusten von 300kHz bis 600kHz zu reduzieren und zuverlässige, hochleistungseffiziente Point-of-Load und Mehrphasen-Synchronauslesungen in DC-DC-Abwärtsanwendungen zu liefern.
Weitere Informationen

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFETs

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