NXH80T120L3Q0 Integrierte Leistungsmodule (PIMs)

onsemi NXH80T120L3Q0 Integrierte Leistungsmodule (PIMs) enthalten eine geklemmte Neutralpunkt(NPC)-Dreistufen-Wechselrichterstufe des T-Typs. Dieser Dreistufen-Wechselrichter besteht aus zwei Halbbrücken-IGBTs von 80 A/1.200 V mit Halbbrückendioden von 40 A/1.200 V. Die NXH80T120L3Q0 PIMs bieten zwei geklemmte Neutralpunkt(NPC)-Dreistufen-IGBTs von 50 A/600 V IGBTs mit zwei NPC-Dioden von 50 A/600 V. Diese PIMs zeichnen sich durch geringere Leitungsverluste, Schaltverluste und eine niedrige VCESAT aus, so dass Benutzer einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende Zuverlässigkeit erzielen können. Die NXH80T120L3Q0 Module bieten Optionen mit oder ohne vorappliziertem Wärmeableitungsmaterial (TIM) und mit lötbaren Pins, Press-Fit-Pins und Thermistoren. Dies bietet eine maximale Sperrschichttemperatur (unter Schaltbedingungen) von +150 °C. Die NXH80T120L3Q0 PIMs von onsemi werden ideal in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen eingesetzt.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Pd - Verlustleistung Verpackung/Gehäuse Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
onsemi IGBT-Module PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM) 23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 1.2 kV 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT-Module PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 1.2 kV 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT-Module PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 24
Mult.: 24

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray