FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung

RAMXEED F-RAM 256kbit FeRAM with x8 parallel interface - TSOP28 tray
Datenblatt
126erwartet ab 17.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 TSOP-28 70 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 128kbit FeRAM with SPI, 1.8-3.6V, 125C - SOP8 tube
Datenblatt
85erwartet ab 17.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

128 kbit SPI 33 MHz 16 k x 8 SOP-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Tube

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel
RAMXEED F-RAM 128kbit FeRAM with SPI, AECQ100 125C - SOP8 tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

128 kbit SPI 33 MHz 16 k x 8 SOP-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tube
RAMXEED MB85RC16PNF-G-AMERE2
RAMXEED F-RAM 16kbit I2C FeRAM 150mil SOP8 (tape)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Reel, Cut Tape