SIC10A065T-AU_T0_000A1

Panjit
241-SIC10A065TAUT000
SIC10A065T-AU_T0_000A1

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

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Panjit
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
400 A
20 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marke: Panjit
Pd - Verlustleistung: 115 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Gewicht pro Stück: 1,890 g
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TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
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BRHTS:
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ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on VF. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (IF) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.