Silizium-Photomultiplier (SiPMs)

Die Silizium-Photomultiplier (SiPMs) von onsemi zeichnen sich durch eine hohe Verstärkung, schnelles Timing und eine hervorragende PDE mit den praktischen Vorteilen der Solid State Technology (SST) aus. Diese SiPMs bieten einen schnellen Ausgangsanschluss und werden in einem CMOS-Prozess hergestellt. Die SiPMs haben eine einheitliche Durchschlagsspannung von ±250 mV bei allen Sensoren in einer Produktlinie, einen Niedertemperaturkoeffizienten von 21 mV/°C und eine Vorspannung von <30 V. Diese SiPMs sind ideal für den Einsatz in der medizinischen Bildgebung, Gefahren- und Bedrohungsanalyse, 3D-Entfernungsmessung und -Bildgebung sowie in der Hochenergiephysik geeignet.

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onsemi Fotodioden J-ARRAY 3MM 20U 4X4 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiode Arrays PCB Mount 420 nm 450 nA 160 ps - 40 C + 85 C ArrayJ
onsemi Fotodioden J-ARRAY 4MM 35U 8X8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiode Arrays PCB Mount 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C ArrayJ
onsemi Fotodioden C-SERIES 1MM 20U MLP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 5 nA 0.3 ns - 40 C + 85 C C Series SIPM
onsemi Fotodioden C-SERIES 3MM 20U MLP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 50 nA 0.6 ns - 40 C + 85 C C Series SIPM
onsemi Fotodioden J-SERIES 4MM 35U TSV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi Fotodioden J-SERIES 6MM 35U TSV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 7.5 uA 250 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi Fotodioden C-SERIES 1MM 10U MLP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 1 nA 0.3 ns - 40 C + 85 C C Series SIPM