CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs setzen neue Standards in puncto Energieeffizienz, Leistungsdichte und Benutzerfreundlichkeit. Die CoolMOS-7-Technologie ist für spezifische Applikationen mit innovativen Gehäusekonzepten und verschiedenen Technologien optimiert. CoolMOS 7 MOSFETS eignen sich hervorragend für Applikationen, die z. B. Ladestationen für Elektrofahrzeuge verkleinern und höhere Ausgänge bieten, was eine schnellere Aufladung des Autos zur Folge hat. Durch CoolMOS 7 sind neue Generationen von Adaptern und Ladegeräten kleiner, leichter und effizienter. Mit CoolMOS 7 können Ingenieure erneuerbare Energiesysteme günstiger und effizienter gestalten.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
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Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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500Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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53Auf Lager
240erwartet ab 10.09.2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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254Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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177Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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376Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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741Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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180Auf Lager
500erwartet ab 15.10.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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474Auf Lager
1.000erwartet ab 17.09.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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645Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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500erwartet ab 12.11.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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702Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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776Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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373Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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5.000Auf Bestellung
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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2.445Auf Lager
17.500Auf Bestellung
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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349Auf Lager
260.000Auf Bestellung
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 59.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
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25.000Auf Bestellung
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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2.500erwartet ab 15.10.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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10.000erwartet ab 25.03.2027
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 24 nC - 50 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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2.500erwartet ab 01.10.2026
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: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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10.000Auf Bestellung
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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5Auf Lager
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: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel