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M1TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1TP80M12W2-2LA
Price: 34.26 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-M1TP80M12W2-2LA

Herst.- Nr.:

M1TP80M12W2-2LA

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12

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M1TP80M12W2-2LA Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Press Fit
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	114 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V to + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt:	Power Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	132
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Vf - Durchlassspannung:	1.1 V

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PCN

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT‑32 SiC-Leistungsmodul

Das STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul ist ein 32-poliges, zweireihiges, geformtes Durchsteckmontage das sich ideal für Fahrzeuganwendungen eignet. Das Leistungsmodul verfügt über einen SiC-MOSFET Gen2 Leistungsschalter, das einen niedrigen 80 mΩ R_DS(on) -Wert gewährleistet. Das M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC-Leistungsmodul von STMicroelectronics bietet eine Totem-Pole-Bauform und eine Durchschlagspannung von 1.200 V. Die hohe Leistungsdichte und das kompakte Design des Moduls kann in On-Board-Ladegeräten (OBCs), DC/DC-Wandlern, Flüssigkeitspumpen und HVAC-Systemen genutzt werden.