NVMFWS0D4N04XM Einzelne Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal

Die Leistungs-MOSFETs NVMFWS0D4N04XM mit N-Kanal von onsemi sind in einem 5 mm x 6 mm SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design erhältlich. Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 40 V, eine Gate-Source-Spannung von ±20 V und eine Verlustleistung von 197 W (TC = 25 °C) aus. Die Leistungs-MOSFETs der Baureihe NVMFWS0D4N04XM bieten einen niedrigen Widerstand (RDS_(on)) zur Minimierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Die NVMFWS0D4N04XM Leistungs-MOSFETs sind blei-, halogen- sowie BFR-frei und RoHs-konform. Typische Applikationen sind Motorantriebe, Batterieschutz, Verpolungsschutz, Synchrongleichrichtung, Schaltnetzteile und Leistungsschalter.