Halbbrücken-IGBTs

Vishay Semiconductors   Halbbrücken-IGBTs verfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Stromwerte von 100 A, 150 A und 200 A. Diese IGBTs verfügen über geringe Leitungsverluste, eine niedrige thermische Sperrschicht-zu-Gehäuse-Reduzierung und eine direkte Montage am Kühlkörperdesign. Halbbrücken-IGBTs bieten antiparallele FRED Pt ® -Dioden der 4. Gen. mit extrem sanften Sperrverzögerungseigenschaften. Die Halbbrücken-IGBTs von Vishay Semiconductors sind für Hochstrom-Wechselrichterstufen, wie z. B. AC-TIG-Schweißmaschinen optimiert.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
Datenblatt
13Auf Lager
15erwartet ab 26.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
Datenblatt
12Auf Lager
15erwartet ab 21.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
Datenblatt
15erwartet ab 24.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk