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M1F45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1F45M12W2-1LA
Price: 42.35 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-M1F45M12W2-1LA

Herst.- Nr.:

M1F45M12W2-1LA

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm

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Datenblatt:

M1F45M12W2-1LA Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.9 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	11
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Automotive Grade Power Module

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

Das STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32 Power Module ist für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen konzipiert. Der M1F45M12W2-1LA verwendet eine Vierpack-Topologie mit einem integrierten NTC. Das Bauteil enthält vier Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs der zweiten Generation von STMicroelectronics. Der M1F45M12W2-1LA bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Energieeffizienz und hoher Schaltfrequenz und ermöglicht komplexe Topologien mit hoher Leistungsdichte und Effizienz. Das Bauteil von STMicroelectronics verfügt über ein AlN-isoliertes Substrat, das eine hervorragende thermische Leistung gewährleistet, und das gerillte Design verbessert die Kriechstrecke für die Sicherheit.