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UCC21717QDWRQ1

Name: Texas Instruments UCC21717QDWRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC21717QDWRQ1
Price: 5.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21717QDWRQ1

Herst.- Nr.:

UCC21717QDWRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber Automotive 10-A sour ce/sink single-chan

Datenblatt:

UCC21717QDWRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,03 €	5,03 €
	3,82 €	38,20 €
	3,53 €	88,25 €
	3,19 €	319,00 €
	3,04 €	760,00 €
	2,93 €	1.465,00 €
	2,86 €	2.860,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2,80 €	5.600,00 €
	2,68 €	10.720,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC21717
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Isolierungsspannung:	5700 Vrms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	130 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V

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Datenblatt

UCC21717QDWRQ1 Datenblatt

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Isolierter Einkanal-Gate-Treiber UCC21717-Q1

Der isolierte Einkanal-Gate-Treiber UCC21717-Q1 von Texas Instruments ist für SiC-MOSFETs und IGBTs von bis zu 1.700 V ausgelegt. Er bietet fortschrittlichen integrierten Schutz, eine überragende dynamische Leistung und Robustheit. UCC21717-Q1 verfügt über einen Quellen- und Senkenstrom von bis zu ±10 A. Die Eingangsseite ist von der Ausgangsseite mit der kapazitiven Isolationstechnologie_SiO2 isoliert, die eine Betriebsspannung von bis zu 1,5_kVRMS, eine Überspannungsfestigkeit von 12,8_kVPK mit einer Lebensdauer der Isolationsbarriere von mehr als 40 Jahren sowie einen geringen Teil-zu-Teil-Versatz und eine Gleichtakt-Rauschimmunität (CMTI) von > 150 V/ns bietet.