R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die R60/R65 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten einen Einkanal-Ausgang mit 600 V oder 650 V Drain-Source-Spannung in TO-220FM-3/SOT-223-3-Gehäusen. Die R60/R65 MOSFETs verfügen über eine Betriebstemperatur von -55°C bis 150°C/155°C und Verlustleistungsoptionen von 7,8 W, 6,6 W, 12,3 W, 9,1 W, 40 W, 46 W, 48 W,, 53 W,, 74 W 68 W oder 86 W. Die R60/R65 N-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 258A N-CH MOSFET
Datenblatt
553Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datenblatt
600Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Datenblatt
5.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Datenblatt
4.949Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 22.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube