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DMN52D0UV-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0UV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0UV-7
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN52D0UV-7

Herst.- Nr.:

DMN52D0UV-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K

Datenblatt:

DMN52D0UV-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,344 €	0,34 €
	0,251 €	2,51 €
	0,158 €	15,80 €
	0,117 €	58,50 €
	0,09 €	90,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,078 €	234,00 €
	0,068 €	408,00 €
	0,054 €	486,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT563-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	480 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	490 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	890 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	38.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.3 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.05 ns

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Datenblatt

DMN52D0UV-7 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N-Kanal Anreicherungsmodus-MOSFET ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um R_DS(ON) zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Eingangskapazität, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen niedrigen Eingangs-/Ausgangskriechverlust und ein extrem kleines Gehäuse für dieOberflächenmontage aus. Der DMN52D0UV MOSFET ist ESD-geschützt, bleifrei, RoHS-konform und Halogen- und antimonfrei. Dieser MOSFET bietet eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C. Typische Applikationen sind Batteriemanagementsysteme, Leistungsmanagementfunktionen und Lastschalter.