Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NXH40B120MNQ1SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ1SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ1SNG
Price: 93.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NXH40B120MNQ1SNG

Herst.- Nr.:

NXH40B120MNQ1SNG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFET-Module 30KW Q1BOOST FULL SIC

Datenblatt:

NXH40B120MNQ1SNG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NXH40B120MNQ1SNG

Auf Lager: 6

Lagerbestand:: 6 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 6 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	93,77 €	93,77 €
	90,12 €	901,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Serie:	NXH40B120MNQ1
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	21
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EliteSiC

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NXH40B120MNQ1SNG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

NXH40B120MNQ1 Vollständiges SiC-MOSFET-Modul

Das vollständige SiC-MOSFET-Modul NXH40B120MNQ1 von onsemi enthält eine duale vollständige SiC-Aufwärtsstufe, die aus drei SiC-MOSFETs mit 40 m Ω/ 1.200 V und drei SiC-Dioden mit 40 A/1.200 V besteht. Dieses SiC-MOSFET-Modul verfügt über drei zusätzliche 50-A-/1.200-V- Bypass-Gleichrichter für die Einschaltstrombegrenzung. Das NXH40B120MNQ1 Modul verfügt über eine niedrige Sperrverzögerung, schnellschaltende SiC-Dioden, ein Layout mit niedriger Induktivität, lötbare Pins, einen Thermistor und ist bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform. Dieses SiC-MOSFET-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.