SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

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Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Panjit SiC Schottky Dioden 650V/4A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Datenblatt
2.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ITO-220AC -2 Single 4 A 650 V 1.5 V 360 A 2.5 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1.988Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ITO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1.500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1.500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
941Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.3 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
2.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC -2 Single 6 A 650 V 1.3 V 392 A 600 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
2.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
2.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1.995Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
1.797Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

SMD/SMT TO-252AA-3 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 6 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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124Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 5 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 800
Rolle: 800

Reel
Panjit SiC Schottky Dioden 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 800
Rolle: 800

Reel
Panjit SiC Schottky Dioden 650V/8A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 480 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V/10A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 560 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 392 A - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 904 A 2.9 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 1 kA 2.1 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit SiC Schottky Dioden 650V SiC Schottky Barrier Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 35 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube