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A5G35H120N Airfast HF-Leistungs-GaN-Transistor

Der NXP Semiconductors A5G35H120N Airfast HF-Leistungs-GaN-Transistor ist ein asymmetrischer 18-W-Doherty-HF-Leistungs-GaN-Transistor. Es ist für Applikationen für Mobilfunk-Basisstationen konzipiert, die eine sehr große Momentan-Bandbreite im Frequenzbereich von 3300 bis 3700 MHz erfordern.

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