DF2BxM4ASL ESD-Schutzdioden

Toshiba  DF2BxM4ASL ESD-Schutzdioden schützen Halbleiterbauteile, wie z. B. Schnittstellen von mobilen Geräten und andere Applikationen gegen  statische Elektrizität und Rauschen. Diese ESD-Schutzdioden nutzen  Snapback-Eigenschaften, um einen niedrigen dynamischen Widerstand und eine hervorragende Schutzleistung zu bieten. Die DF2BxM4ASL Dioden eignen sich hervorragend für die Hochgeschwindigkeits-Signalapplikation für eine Leistungsfähigkeit mit niedriger Kapazität. Diese ESD-Schutzdioden werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gelagert. Die DF2BxM4ASL Dioden arbeiten bei einer Sperrschichttemperatur von 150 °C, einer Spitzenimpulsleistung von 30 W und einem Spitzenimpulsstrom von 2 A.  Typische Anwendungen sind Smartphones, Tablets, Notebooks und Desktop-PCs.