Leistungs-MOSFETs

YAGEO XSemi Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken für niedrigen Einschaltwiderstand, Wirkungsgrad und Kosteneffizienz. Die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den Anforderungen der jeweiligen Applikation gerecht zu werden. Die für das Bauteil verfügbaren Gehäuse kommen häufig für kommerzielle und industrielle Applikationen zum Einsatz.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 922Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1.664Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 954Auf Lager
6.000erwartet ab 10.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
2.955erwartet ab 27.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel