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BC846B-Q

Name: Diotec Semiconductor BC846B-Q
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-BC846B-Q
Price: 0.08 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-BC846B-Q

Herst.- Nr.:

BC846B-Q

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

BC846B-Q Datenblatt (PDF)

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	0,023 €	57,50 €
	0,015 €	150,00 €
	0,012 €	600,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	65 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	250 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Marke:	Diotec Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
DC Stromverstärkung hFE max.:	800 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

BC846B-Q Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW of power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW of power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.