Halbleiter – Mouser Deutschland

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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CSD13303W1015
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CSD17313Q2
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MOSFETs 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

CSD17313Q2T
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CSD17318Q2
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MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

CSD17318Q2T
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1: 0,43 €
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MOSFETs 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17327Q5A
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CSD17327Q5A

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MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

CSD17381F4
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MOSFETs NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A

CSD17553Q5A
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MOSFETs 30V N-Ch Pwr MOSFET A 595-CSD17570Q5B A 595-CSD17570Q5B

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Texas Instruments
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MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFETs

CSD17571Q2
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MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

CSD17577Q3AT
Texas Instruments
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