Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

Ergebnisse: 62
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
497Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
401Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 9A Si MOSFET
Datenblatt
163Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
Datenblatt
373Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET
Datenblatt
369Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
318Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
Datenblatt
163Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET
Datenblatt
500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
1.000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
365Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 4A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 9A Si MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel