BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs

Nexperia BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs sind zur Erfüllung der AEC-Q101-Anforderungen ausgelegt und qualifiziert und liefern eine hohe Leistungsfähigkeit und Lebensdauer. Diese MOSFETs bieten ein schnelles und effizientes Schalten mit optimaler Dämpfung und niedrigem Spannungsspitzen. Die BUK7Y1R0-40N und BUK7Y3R1-80M n-Kanal-MOSFETs sind in LFPAK56-Gehäusen eingekapselt. Der BUK7Y1R0-40N n-Kanal-MOSFET nutzt die Trench 15 niederohmige Enhanced-Trench-Bottom-Oxid(e-TBO)-Technologie, während der BUK7Y3R1-80M die Trench 14 niederohmige Split-Gate-Technologie verwendet. Diese n-Kanal-MOSFETs sind EU-RoHS-konform und verfügen über einen maximalen Sperrschichttemperaturbereich von 175°C. Zu den typischen Applikationen gehören Motoren, Beleuchtung und Magnetsteuerung, 12-V-Automotive-Systeme und extrem leistungsstarke Leistungsschaltung.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Nexperia MOSFETs BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Datenblatt
2.319Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia MOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Datenblatt
970Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement