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MMBT3906T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906TRSG
Price: 0.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-MMBT3906TRSG

Herst.- Nr.:

MMBT3906T RSG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

Datenblatt:

MMBT3906T RSG Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,181 €	0,18 €
	0,108 €	1,08 €
	0,068 €	6,80 €
	0,05 €	25,00 €
	0,044 €	44,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,035 €	105,00 €
	0,032 €	192,00 €
	0,026 €	234,00 €
	0,025 €	600,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-523-3
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	40 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	400 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	200 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	30
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.