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NTTFD1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFD1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD1D8N02P1E
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFD1D8N02P1E

Herst.- Nr.:

NTTFD1D8N02P1E

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFD1D8N02P1E Datenblatt

ECAD Model:

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	1,94 €	1,94 €
	1,24 €	12,40 €
	0,842 €	84,20 €
	0,673 €	336,50 €
	0,617 €	617,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,606 €	1.818,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V, 25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	61 A, 126 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V, 2 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC, 37.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W, 36 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	1.7 ns, 5.2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.1 ns, 2.3 ns
Serie:	NTTFD1D8N02P1E
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.3 ns, 37.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.6 ns. 9.4 ns

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Datenblatt

NTTFD1D8N02P1E Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTTFD1D8N02P1E n-Kanal-MOSFET

Der onsemi NTTFD1D8N02P1E n-Kanal-MOSFET ist ein asymmetrisches 25-V-Dual-Leistungsclip-Bauteil. Dieser n-Kanal-MOSFET verfügt über einen R_DS(on) von 4,2 mΩ HS, einen Drain-Source-Spannung von 1,4 mΩ LS und 25 V_DSS. Darüber hinaus verfügt der NTTFD1D8N02P1E MOSFET über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine niedrige Q_G und Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Dieser MOSFET wird in einem PQFN12-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm für ein kompaktes Design angeboten. Das NTTFD1D8N02P1E Bauteil eignet sich für DC/DC-Wandler und Systemspannungsschienen.