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TRSxE65F SiC-Schottky-Barriere-Dioden
Toshiba TRSxE65F SiC-Schottky-Barriere-Dioden zeichnen sich durch das Chip-Design der 2. Generation aus und sind in TRS6E65F- und TRS8E65F-Ausführungen verfügbar. Die TRSxE65F Dioden verfügen über einen hohen Stromstoß, eine kleine Sperrschichtkapazität und einen kleinen Sperrstrom. Diese Dioden sind in den Abmessungen 10,05 mm x 15,3 mm x 4,45 mm verfügbar. Die TRSxE65F Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in Blindleistungskompensations-, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und DC/DC-Wandlern.