Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

DMP4047SK3-13

Name: Diodes Incorporated DMP4047SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP4047SK3-13
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMP4047SK3-13

Herst.- Nr.:

DMP4047SK3-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V

Datenblatt:

DMP4047SK3-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Diodes Incorporated DMP4047SK3-13

Auf Lager: 11.880

Lagerbestand:: 11.880 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,851 €	0,85 €
	0,53 €	5,30 €
	0,346 €	34,60 €
	0,266 €	133,00 €
	0,241 €	241,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,184 €	460,00 €
	0,177 €	885,00 €
	0,176 €	1.760,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	23.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	28.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	28.2 ns
Serie:	DMP40
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18.5 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

DMP4047SK3-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP4047 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMP4047 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. DMP4047 offers a low on-resistance of 55mΩ (max.), -40V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, -1µA zero gate threshold voltage, ±100nA gate source leakage, -3.0V gate threshold voltage (max.), and a 8.5ns turn-on delay time. The device is ideal for high efficiency power management applications such as backlighting, DC-DC converters, and power management functions.