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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
4.706Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
950Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
478Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
395Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
939Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 93 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Datenblatt
493Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 50 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
454Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
2.045Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Datenblatt
1.419Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 84 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Datenblatt
952Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 121 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 91 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 52.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube