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NCV57000DWR2G

Name: onsemi NCV57000DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57000DWR2G
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV57000DWR2G

Herst.- Nr.:

NCV57000DWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT gate driver

Datenblatt:

NCV57000DWR2G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,57 €	2,57 €
	1,92 €	19,20 €
	1,75 €	43,75 €
	1,57 €	157,00 €
	1,49 €	372,50 €
	1,36 €	680,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,27 €	1.270,00 €
	1,26 €	2.520,00 €
	1,24 €	6.200,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCV57000
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	1.4 W
Verzögerungszeit - Max.:	90 ns
Anstiegszeit:	10 ns
Abfallzeit:	15 ns
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	US
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	90 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	90 ns
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Betriebsversorgungsstrom:	4.8 mA
Ausgangsstrom:	4 A
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V
Gewicht pro Stück:	1,506 g

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Datenblatt

NCV57000DWR2G Datenblatt

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCV57000 Isolierter Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber

Die NCV57000 isolierten Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von onsemi sind für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsapplikationen ausgelegt. Der NCV57000 verfügt über robuste Funktionen, einschließlich komplementäre Eingänge, Open-Drain-FAULT- und Ready-Ausgänge, eine aktive Millier-Klemme, präzise UVLOs, einen DESAT-Schutz, eine sanfte Abschaltung bei DESAT sowie separate hohe und niedrige (OUTH und OUTL) Treiberausgänge für ein einfacheres Systemdesign.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

Galvanisch getrennte Hochstrom-Gate-Treiber

Die galvanisch getrennten Hochstrom-Gate-Treiber von onsemi bieten eine hohe Transienten- und elektromagnetische Störfestigkeit. Der NCx5700x ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Die Treiber verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fault- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz, Sanftabschaltung bei DESAT und separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) für ein einfacheres Systemdesign. Die NCx5700x nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Diese Bauteile von onsemi bieten eine galvanische Trennung von >50 kV_RMS (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 V_IORM -fähig (Betriebsspannung). Die Baureihe NCx5700x ist in eine Wide-Body-SOIC-16-Gehäuse mit garantierter Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang erhältlich, um erhöhte Sicherheitsanforderungen an die Trennung zu erfüllen.