R8002ANJ und R8005ANJ und R8008ANJ Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs R8002ANJ, R8005ANJ und R8008ANJ von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schaltzeiten aus. Die MOSFETs eignen sich für Schalt-Applikationen. Die Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine garantierte Gate-Source-Spannung (VGSS) von ±30 V aus.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Datenblatt
1.986Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Datenblatt
1.919Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Datenblatt
1.826Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape