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IXGN50N120C3H1

Name: IXYS IXGN50N120C3H1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGN50N120C3H1
Price: 22.3 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXGN50N120C3H1

Herst.- Nr.:

IXGN50N120C3H1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBT-Module High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode

Datenblatt:

IXGN50N120C3H1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Modules
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	95 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Pd - Verlustleistung:	460 W
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227B-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	IXGN50N120
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	GenX3

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Datenblatt

IXGN50N120C3H1 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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