DRV8962QDDWRQ1

Texas Instruments
595-DRV8962QDDWRQ1
DRV8962QDDWRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber Automotive 70-V sing le or dual H-bridge

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
10,47 € 10,47 €
8,51 € 85,10 €
8,12 € 203,00 €
7,04 € 704,00 €
6,73 € 1.682,50 €
6,13 € 3.065,00 €
5,37 € 5.370,00 €
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5,24 € 13.100,00 €
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Texas Instruments
Produktkategorie: Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:  
Drivers
Half Bridge
4.5 V to 60 V
6 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
HTSSOP-44
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Anzahl der Ausgänge: 4 Output
Produkt-Typ: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: DRV8962
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 60 V
Versorgungsspannung - Min.: 4.5 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542311999
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

DRV8962-Q1 Vierkanal-Halbbrückentreiber

Der Vierkanal-Halbbrückentreiber DRV8962-Q1 von Texas Instruments ist ein Vierkanal-Halbbrückentreiber für hohe Spannungen und hohe Leistung für verschiedene Fahrzeuganwendungen. Das Bauteil unterstützt eine Versorgungsspannung bis zu 60 V und die integrierten MOSFETs mit 50 mΩ On-Widerstand ermöglichen einen Strom bis zu 5 A an jedem Ausgang. Das Bauteil kann bis zu einem Schrittmotor, vier Magnetspulen oder Ventile, einen BLDC- oder PMSM-Motor, zwei DC-Bürstenmotoren und zwei thermoelektrische Kühler (Peltier-Elemente) ansteuern. Die Endstufe besteht aus n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die als vier unabhängige Halbbrücken, eine Ladungspumpe, Regelschaltungen, Strommessung, Schutzschaltung und Strommessausgänge konfiguriert sind.

DRV8962 65-V-Vierkanal-Halbbrückentreiber

Der DRV8962 65-V-Vierkanal-Halbbrückentreiber von Texas Instruments ist ein Vierkanal-Halbbrückentreiber mit großem Spannungsbereich und hoher Leistung für verschiedene Industrieapplikationen. Das Bauteil unterstützt eine Versorgungsspannung bis zu 65 V und integrierte MOSFETs mit einem On-Widerstand von 50 mΩ ermöglichen mit dem DDW-Gehäuse einen Strom bis zu 5 A an jedem Ausgang und mit dem DDV-Gehäuse einen Strom bis zu 10 A pro Ausgang.