RH7L03BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7L03BBKFRATCB
RH7L03BBKFRATCB

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs DFN8 N CHAN 40V

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
60 V
35 A
26.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: SIngle
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: JP
Abfallzeit: 4.7 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.4 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der 60-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET RH7L03 von ROHM Semiconductor ist ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 60 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±35 A, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist. Dieser MOSFET hat einen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(ON)] von 26,4 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, ID = 20 A und wird in einem 3,3 mm x 3,3 mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB)-Gehäuse geliefert. Der RH7L03 MOSFET von ROHM Semiconductor ist ideal für erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS), Informations-, Beleuchtungs- und Karosserie-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.