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QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 1262.07 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1006

Herst.- Nr.:

QPD1006

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Datenblatt:

QPD1006 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-50CW
Transistorpolung:	N-Channel
Id - Drain-Gleichstrom:	14 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	445 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	QPD1006EVB3
Verstärkung:	17.8 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	145 V
Maximale Betriebsfrequenz:	1.4 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1.2 GHz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	450 W
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1006
Verpackung ab Werk:	36
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	HEMT

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Datenblatt

QPD1006 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN-HF-IMFET-Transistor

Der GaN-HF-Transistor QPD1006 (IMFET) von Qorvo ist ein 450-W-GaN-SiC-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT). Der QPD1006-Transistor arbeitet im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz und einer 50-V-Versorgungsschiene. Dieses Bauteil kann einen gepulsten und kontinuierlichen Wellenbetrieb (CW) unterstützen. Der QPD1006-Transistor von Qorvo ist ein GaN-IMFET, der vollständig an 50Ω angepasst ist und in einem Luftkammergehäuse nach Industriestandard untergebracht ist. Dieser IMFET-Transistor ist ideal für militärische und zivile Radargeräte geeignet.