U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba  U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind  100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich  durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Toshiba MOSFETs PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
4.000erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.1 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4.987erwartet ab 11.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ 5.000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel