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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
onsemi JFETs 1200V/70MOSICJFETG3TO
Datenblatt
484Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Datenblatt
563Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/25MOSICJFETG3TO2
Datenblatt
250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2
Datenblatt
464Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO
Datenblatt
514Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube