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2SD1223(TE16L1,NQ)

Name: Toshiba 2SD1223(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba
SKU: 757-2SD1223TE16L1NQ
Price: 1.23 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-2SD1223TE16L1NQ

Herst.- Nr.:

2SD1223(TE16L1,NQ)

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

Datenblatt:

2SD1223(TE16L1,NQ) Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	0,404 €	202,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	4 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	100 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Pd - Verlustleistung:	1 W
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2SD1223
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Kollektorgleichstrom:	4 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	2000
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Datenblatt

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Application Notes

Models

PCN

Changes in Packing Material and Packing Method (PDF)

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Automotive-Lösungen

Toshiba Automotive-Lösungen bieten verschiedene Automotive-Halbleiter-Bauteile, die zur Verbesserung der Fahrsicherheit ausgelegt sind. Dazu gehören erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS) mit einem Bilderkennungsprozessor. Toshiba bietet modernste Halbleitertechnologien aus einer Zukunftsperspektive, um umfassende Fahrerassistenzlösungen zu liefern. Diese Lösungen umfassen autonomes Fahren, das menschliche Augen und andere komplexe menschliche Sinne emuliert.