Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

RF6G035BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6G035BGTCR
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RF6G035BGTCR

Herst.- Nr.:

RF6G035BGTCR

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs SOT363 N-CH 40V 3.5A

Datenblatt:

RF6G035BGTCR Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR

Auf Lager: 2.739

Lagerbestand:: 2.739 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,585 €	0,59 €
	0,354 €	3,54 €
	0,226 €	22,60 €
	0,175 €	87,50 €
	0,157 €	157,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,122 €	366,00 €
	0,114 €	684,00 €
	0,104 €	936,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363T-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	46 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	3.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.4 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

RF6G035BGTCR Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RF6G035BG Leistungs-MOSFET

Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über eine Spannung zwischen Drain und Source (V_DSS) von 40 V und einen Dauersenkenstrom (I_D) von ±3,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R_{DS (on)}) von 46 mΩ und eine Verlustleistung von 1 W (P_D). Der RF6G035BG MOSFET wird in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C betrieben und ist in einem halogenfreien, kleinen Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6 oder SOT-363T) verfügbar. Dieses RoHS-konforme Bauelement enthält eine bleifreie Beschichtung. Der RF6G035BG Leistungs-MOSFET eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandler-Applikationen.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.