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NVBG110N65S3F

Name: onsemi NVBG110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG110N65S3F
Price: 6.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG110N65S3F

Herst.- Nr.:

NVBG110N65S3F

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVBG110N65S3F Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	58 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	240 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	17 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	NVBG110N65S3F
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	67 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	31 ns

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Datenblatt

NVBG110N65S3F Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG110N65S3F SUPERFET® n-Einkanal-MOSFET

Onsemi NVBG110N65S3F Single N-Channel SUPERFET^®III MOSFET ist ein Hochspannungs- Super-Junction (SJ) MOSFET, der die Ladungsausgleichstechnologie nutzt, um einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine geringere Gate-Ladung zu erzielen. Diese Technologie trägt dazu bei, Leitungsverluste zu minimieren, ein überlegenes Betriebsverhalten zu erzielen und extremen dv/dt-Raten standzuhalten. Der NVBG110N65S3F MOSFET eignet sich für verschiedene Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und für höhere Wirkungsgrade. Dieser MOSFET ist AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVBG110N65S3F MOSFET ist bleifrei und RoHs-konform. Typische Applikationen enthält ein Fahrzeug on-board Ladegerät und ein Fahrzeug DC/DC-Wandler für BEV.