2ED210x Schwachstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V

Infineon 2ED210x Schwachstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber mit 650 V bieten eine integrierte Bootstrap-Diode in einem DSO-8- oder DSO-14-Gehäuse. Die 2ED210x 0,7-A-Schwachstrom-Treiber basieren auf der SOI-Technologie (Silicon-on-Insulator, SOI). Die SOI-Technologie ist eine Hochspannungs-Pegelverschiebungstechnologie, die einzigartige, messbare und erstklassige Vorteile bietet. Dazu gehören eine integrierte Bootstrap-Diode (BSD) und eine branchenführende Robustheit zum Schutz gegen negative Transientenspannungsspitzen. Diese Technologie kann auch die Leistungsverluste durch die Pegelverschiebung verringern, um die Verlustleistung des Bauteils zu reduzieren. Der fortschrittliche Prozess ermöglicht eine monolithische Hochspannungs- und Niederspannungsbauweise mit Technologie-verbesserten Vorteilen.