MG250YD2YMS3(DAE)

MG250YD2YMS3 Duales 2.200-V-SiC-MOSFET-Modul

Das duale  2.200-V-SiC-MOSFET-Modul MG250YD2YMS3 von Toshiba eignet sich für Applikationen, die DC1500V verwenden, beispielsweise Erzeugung erneuerbarer Energie und Energiespeichersysteme. Das MG250YD2YMS3 zeichnet sich durch einen niedrigen Leitungsverlust mit einer niedrigen Drain-Source-Einschaltsspannung von 0,7 V aus und bietet niedrigere Einschalt- und Ausschaltverluste von 14 mJ bzw. 11 mJ. Dieser MOSFET bietet eine Reduktion von ca. 90 % gegenüber einem typischen 2.300-V-Silizium (Si)-IGBT-Modul (Insulated-Gate Bipolar Transistor). Diese Eigenschaften tragen zu einem hohen Wirkungsgrad bei und die Realisierung geringer Schaltverluste ermöglicht, die herkömmliche dreistufige Schaltung durch eine zweistufige Schaltung mit einer geringeren Modulanzahl zu ersetzen, was zur Miniaturisierung der Geräte beiträgt. Der duale  2.200-V-Dual-SiC-MOSFET MG250YD2YMS3 von Toshiba ist geeignet für industrielle Anlagen, einschließlich Motorsteuerung und Hochfrequenz-DC/DC-Wandler.