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FF225R65T3E3BPSA1

Name: Infineon FF225R65T3E3BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF225R65T3E3BPSA
Price: 1432.07 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

726-FF225R65T3E3BPSA

Herst.- Nr.:

FF225R65T3E3BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 6500 V, 225 A dual IGBT module

Datenblatt:

FF225R65T3E3BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	6.5 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	3 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	225 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Pd - Verlustleistung:	1 MW
Minimale Betriebstemperatur:	- 50 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	FF225R65T3E3 SP001983752

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

6.500-V-IGBT-Module

Infineon Technologies 6.500-V-IGBT-Module sind ein XHP™3 225-A-Dual-IGBT-Modul mit Trench-/Fieldstop-IGBT3 und drei Emitter-gesteuerten Dioden. Die 6.500-V-IGBT-Module bieten viele elektrische Funktionen, einschließlich hohe dynamische Robustheit, niedrige VCEsat und Trench-IGBT 3. Die 6.500-V-IGBT-Module von Infineon sind mit einer verbesserten Isolierung von 10,4 kV AC 10 s untergebracht.