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PSMN012-60HLX

Name: Nexperia PSMN012-60HLX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN012-60HLX
Price: 1.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN012-60HLX

Herst.- Nr.:

PSMN012-60HLX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A

Datenblatt:

PSMN012-60HLX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,77 €	1,77 €
	1,13 €	11,30 €
	0,771 €	77,10 €
	0,654 €	327,00 €
	0,546 €	546,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,519 €	778,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-56D-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	22.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	64 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934665394115

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ECCN:: EAR99

PSMN012 n-Kanal-MOSFET

Der Nexperia PSMN012 n-Kanal MOSFET ist ein dualer n-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, der in einem LFPAK56D-Gehäuse (Dual-Power-SO8) untergebracht ist. Der MOSFET von Nexperia verwendet eine applikationsspezifische (ASFET) periodische Avalanche-Siliziumtechnologie. Das Bauteil wurde auf 1 Milliarde Avalanche-Ereignisse getestet.