BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

Der Nexperia BXK9Q29-60A N-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Modus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT8002-3 (MLPAK33) SMD-Kunststoffgehäuse, der auf der Trench-MOSFET-Technologie basiert. Dieser N-Kanal-MOSFET ist logikpegelkompatibel, schnell schaltend und vollständig fahrzeugqualifiziert für AEC-Q101 bei 175 °C. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, einen maximalen Spitzen-Drainstrom von 84 A und eine maximale Gesamtverlustleistung von 27 W aus. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt außerdem über einen typischen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand von 23,7 mΩ, eine maximale nicht wiederholbare Drain-Source-Avalanche-Energie von 25 mJ und einen maximalen nicht wiederholbaren Avalanche-Strom von 15,8 A. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET ist EU/CN RoHS-konform. Typische Applikationen sind LED-Beleuchtung, Schaltungen und DC/DC-Wandlung.